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傳感器，尤其是MEMS器件的市場機遇也面臨著制造方面的挑戰(zhàn)，具體包括：

• 晶圓尺寸過渡：目前圖像傳感器制造使用的是300mm晶圓，而MEMS器件的制造將在不久的將來從小直徑晶圓轉移至300mm晶圓。所有晶圓制造廠都面臨邊緣不連續(xù)性的問題，而這個問題在晶圓尺寸提升至300mm后會更難解決。

  加工：MEMS和邏輯CMOS的晶圓加工是*不同的。在加工MEMS晶圓時，器件制造商可能需要用到雙面拋光晶圓、帶薄膜的空腔晶圓、需特殊傳動的臨時鍵合晶圓、單晶圓清洗、結構釋放刻蝕和斜面工程技術。

• 深度反應離子刻蝕（DRIE）：MEMS器件生產(chǎn)需要降低斜率、更好的關鍵尺寸和深度均勻性以及其他與集成和覆蓋相關的半關鍵刻蝕工藝。另外，對未來的MEMS制造來說，提升分辨率和生產(chǎn)率也非常重要。

  等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）的特殊要求：MEMS制造對沉積過程中的應力控制有*的要求并可能需要低溫加工技術。

  壓電材料：有越來越多的壓電材料被用來實現(xiàn)MEMS器件的功能。但對于制造設備來說，這些材料屬于具有*特性和制造要求的新物質。鉬（Mo）和鉑（Pt）等電極材料可用于避免在壓電層極化過程中產(chǎn)生不均勻的電場。

  晶圓尺寸的影響：任何刻蝕都要面臨邊緣不連續(xù)性以及由其導致的邊緣反應物、鈍化和鞘層梯度。

腔室和晶圓之間的溫度差會導致溫度的不連續(xù)性，這種不連續(xù)性又會導致鈍化梯度。材料（或化學）的不連續(xù)性和反應物梯度會導致化學物質吸附速率出現(xiàn)差異。除溫度梯度以外，晶圓邊緣反應物消耗量和副產(chǎn)物排放速率的變化也會導致吸附速率發(fā)生變化。在晶圓的邊緣，從偏置表面到接地或懸浮表面的變化也會導致等離子體殼層彎曲并進而改變離子相對于晶圓的運動軌跡。

任何晶圓的刻蝕都涉及邊緣不連續(xù)性，而且隨著晶圓尺寸提升至300mm，這些問題對良率的影響會更為顯著。對300mm晶圓來說，外層8mm邊緣的表面積占比可達10％左右，即使是外層2mm邊緣也幾乎占據(jù)晶圓表面積的3％，依然具有不可忽視的影響

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